1200伏 14毫欧碳化硅MOS芯片及车规HPD模块

  昆芯(上海)科技有限公司近期推出自主研发的1200伏14毫欧碳化硅MOS芯片及相应1200V400A/600A碳化硅HPD模块,并且该模块已经送车厂验证。这标志着昆芯科技在高功率IGBT车规芯片和模块成功应用在车厂主驱逆变后,碳化硅车规芯片和模块也将实现规模量产。

该产品具有：

1.芯片精细元胞平面栅工艺,栅极质量可靠,Rsp国际领先,综合优势明显

2.芯片采用直条和菱形导流元胞相结合的设计，大大降低了开通和关断损耗

3.兼容+15,+18,+20V驱动电压,方便使用

4.高温Rds,on小,适合高温运行，Tj=175°C

5.Vth及BV一致性好,满足车厂一致性高要求

6.模块采用最新一代的太极柱™水冷板,导热能力提升5%以上

Fig.1, 1200V400AHPD碳化硅Module with 太极柱™ PIN-FIN水冷板

  在同等测试条件下，昆芯科技的模块产品动静态各项参数都对标或优于欧洲国际大厂的产品性能,产品性能达到国际平行，国内领先。同时,昆芯科技正在积极优化产品，下一代芯片表面将采用NiPdAu的化学镀工艺，并且采用Cu Clip封装,这将使得产品的性能有更加大的进步,或将全面领先于欧美国际大厂。

  基于的优异性能,昆芯科技相继推出了包括单管及HPD模块在内的多种封装形式。随着昆芯科技碳化硅 MOSFET家族再次迎来新成员,公司碳化硅产品系列化布局更加齐全,产品覆盖电动汽车(EV)主驱逆变器、OBC/DC-DC、充电桩、光伏和储能系统(ESS)以及工业电源等诸多领域,以满足客户不同应用场景的多样化需求。

    自研国产芯片，掌握核心科技。