引领高压系统变革：昆芯科技于PCIM Asia 2025举行专场发布会，重磅推出2200V碳化硅功率器件

昆芯科技发布2200V碳化硅功率器件，以卓越性能引领高压系统变革

2025年9月24日至26日，亚洲电力电子行业盛会——PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源管理展览会在上海新国际博览中心隆重举行。国内领先的半导体企业昆芯科技在展会期间举行了专场新品发布会，总经理王颢博士向全球观众隆重推出了新一代2200V SwiftSiC碳化硅功率器件系列，其卓越的性能和创新的技术解决方案，在现场引发了热烈反响。

突破性能边界，定义高压应用新标准

在本次PCIM Asia的专题分会场上，昆芯科技总经理王颢博士以“SwiftSiC 2.2kV SiC功率器件：以领先科技，驱动未来”为题，进行了深度技术分享。本次发布的核心产品包括多款采用先进封装的2200V SiC MOSFET及B2、B3、C1封装功率模块。

王博在演讲中通过详实的对比，清晰地展示了新产品的核心优势：

1. 充足的电压裕量与高可靠性：

新品专为蓬勃发展的1500V系统设计，提供了远超行业常规水平的电压裕量，确保了系统在复杂工况下的极致可靠。创新的TO-247PLUS封装显著增大了爬电距离，从结构上根除了电气击穿风险。

2. 极致的开关效率：

2200V 30mΩ SiC MOSFET展现了革命性的低开关损耗。与市场主流竞品相比，其开通损耗和关断损耗均大幅降低约三分之一至二分之一，这直接带来了系统整体效率的显著提升和散热器的小型化。

3. 坚固耐用的高温表现：

产品支持极高的结温工作，并具备优异的短路耐受能力，确保系统在高温、高应力等恶劣环境下稳定运行。其导通电阻随温度变化小，高温性能稳定，寿命远超预期。

4. 简洁高效的系统应用：

全系列模块在测试中均表现出开关过程干净、电磁干扰小的优良特性。其内置二极管性能优异，能够实现平滑的硬换流，极大简化了系统拓扑设计，帮助客户节省总体成本。

展台盛况空前，产品获龙头客户背书

在整个展会期间，昆芯科技位于N4馆B19的展台反响热烈，新发布的2200V全系列样品成为全场焦点，吸引了众多光伏逆变器、储能系统及电动汽车充电桩领域的龙头企业客户进行深入技术交流。

该系列产品目前已获得多家行业领军企业的采纳并进入测试阶段根据客户反馈，昆芯科技的新产品以其卓越的性能和充足的电压裕量，完美解决了高电压系统在可靠性、功率密度和总成本方面的核心痛点，市场应用前景极为广阔。

王颢博士接受多国媒体联合采访，展望全球战略

在专场发布会后，王颢博士应邀请接受了多国行业权威媒体的联合采访。他谈到：“本次发布的2200V系列功率模块，是昆芯科技技术实力的集中体现。我们不仅做到了性能领先，更实现了从芯片到封装的全面优化，为客户提供了全新高压解决方案。”

面对未来的全球布局，王博表示：“昆芯科技将持续深耕高压高功率领域，与全球客户紧密合作，推动碳化硅技术在能源转型中发挥更核心的作用。”

此次在PCIM Asia 2025的强势亮相，不仅展现了昆芯科技在高压碳化硅技术领域的领先地位，更标志着昆芯科技迈向全球市场的全新篇章。